英特尔3D封装技术亮剑，将夺回台积电的半导体龙头宝座？( 二 )_图1

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图 | 英特尔在 SEMICON West 中进一步披露将 2D 封装技术 EMIB 和 3D 封装技术 Foveros 做结合。（来源：英特尔）

英特尔绝地大反攻

台积电与三星频频较量，且屡次胜出的关键，除了在高端工艺技术上不手软地砸钱，保持巨大的研发能量外，在 10 年前就看到要延续摩尔定律的寿命，唯有解开后端“封装”技术的瓶颈，因此部署重兵在封装领域。

英特尔虽然在 10 nm 工艺技术上延迟 4 年，导致全球芯片制造的龙头宝座拱手让给台积电，但从 2019 年开始，英特尔展开绝地大反攻。

英特尔日前更在旧金山登场的 SEMICON West 中，强调能同时提供 2D 和 3D 封装技术，分享 3 项重大封装的全新技术架构：

第一是Co-EMIB 技术：英特尔先前已经有嵌入式多芯片互连桥接 EMIB（ Embedded Multi-die Interconnect Bridge），这是一款 2D 的封装技术，在之前的“架构日”（ Architecture Day ）也宣布 3D 封装技术 Foveros 的诞生。

英特尔3D封装技术亮剑，将夺回台积电的半导体龙头宝座？( 二 )