英特尔3D封装技术亮剑，将夺回台积电的半导体龙头宝座？( 三 )_图1

这次英特尔进一步提出 Co-EMIB 技术，基于 2D 封装技术 EMIB 和 3D 封装技术 Foveros，利用高密度的互连技术，实现高带宽、低功耗，并实现有竞争力的 I/O 密度，全新的 Co-EMIB 技术可连结更高的计算性能，能够让两个或多个 Foveros 元件互连，基本达到单晶片性能。

第二是英特尔的互连技术 ODI（Omni-Directional Interconnect），提供封装中小芯片之间，无论是芯片或模块之间的水平通信或是垂直通信，互联通信都有更多灵活性。

ODI 封装技术利用大的垂直通孔直接从封装基板向顶部裸片供电，比传统的硅通孔大得多且电阻更低，可提供更稳定的电力传输，同时通过堆叠实现更高带宽和更低时延。再者，利用这种方法可以减少基底芯片中所需的硅通孔数量，可减少面积且缩小裸芯片的尺寸。

第三是MDIO：是基于先进介面汇流排 AIB（ Advanced Interface Bus ）发布的 MDIO 全新裸片间接口技术。MDIO 技术支持对小芯片 IP 模块库的模块化系统设计，能够提供更高能效，实现 AIB 技术两倍以上的速度和带宽密度。

毫无疑问，英特尔与台积电都将“大炮”对准 3D 封装技术，这个“后摩尔定律”时代最至关重要的战场。