英特尔3D封装技术亮剑，将夺回台积电的半导体龙头宝座？( 四 )_图1

视频 | Foveros 是英特尔继 EMIB 技术后推出的 3D 封装，成为延续摩尔定律的推手。（来源：英特尔）

3D 封装技术的三大挑战

英特尔之前提出的 Foveros 全新的 3D 封装技术，就已经让市场十分惊艳。

因为3D 堆叠技术已在存储领域实现了，但要堆叠不同逻辑产品，则是一个巨大的技术门槛。英特尔就是想把芯片堆叠从传统的被动硅中介层（ passive interposer ）与堆叠存储器，扩展至堆叠高效能逻辑产品如 CPU 、 GPU 、 AI 芯片等，实现业界常常在谈论的“异质堆叠整合”技术，且不单是芯片堆叠，还做到不同 Wafer 之间的直接贴合。

英特尔为了以封装技术全面大反攻，也大力借助“小芯片”（ chiplet ）概念，让存储和运算芯片能以不同组合堆叠。

Foveros 这项 3D 封装技术可以将产品分解成更小的“小芯片”，其中的电源传输电路、 SRAM 、 I/O 元件可以建入底层的基础芯片（ base die ）当中，而高效能逻辑芯片则堆叠在上面，同时 Foveros 也具备在新的装置设计中混搭各种硅知识产权（ IP ）模组、各种存储、 I/O 元件的弹性。