英特尔3D封装技术亮剑，将夺回台积电的半导体龙头宝座？( 五 )_图1

英特尔第一个使用高端 Foveros 封装技术产品，将是结合 10 nm芯片的“ Lakefield ”处理器，根据英特尔之前宣布，会在 2019 年问世，这不但是英特尔继 2018 年宣布推出 2D 封装技术的 EMIB 之后另一大突破，更等同是对台积电日前披露的 3D 封装技术 SoIC 下战帖。

英特尔的 Lakefield 处理器预计是在单一芯片上采用 10nm 技术的 Sunny Cove 架构为主核心，另外再配置 4 个 10nm 的 Tremont 架构做为小核心，且内建 LP DDR4 存储控制器等，之所以可以把这么多的运算和处理元件都包在一颗单芯片中，秘诀就在 Foveros 封装技术。

再者，未来英特尔也会将 Foveros 封装技术从 10nm 推进至 7nm，通过 3D 封装来延续摩尔定律。不过， Foveros 技术因为是堆层堆叠，非常考验散热，加上生产良率是一大问题，以及上下层的供电稳定性，因此可以说，目前 Foveros 封装技术三大项挑战分别为散热、良率、供电等。