3D闪存将走向何方？_：3D闪存将走向何方？来源：格隆汇来源

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3D NAND Flash Memory（3D NAND Flash，3D NAND 闪存）的高密度发展正如火如荼地进行着。通过增加存储单元（Memory Cell）在垂直方向上的堆叠（3D堆叠）数量（Word Line的堆叠数），3D NAND闪存的高密度化、大容量化已经基本得以实现。通过融合3D堆叠技术、多值存储技术（在1个存储单元上存储多个bit的技术），获得了具有较大存储容量的Silicon Die（硅芯片）。