3D闪存将走向何方？( 二 )_：3D闪存将走向何方？来源：格隆汇来源

比方说，通过融合Samsung Electronics的把Word Line（字线）的堆叠数做到了64层(Intel和Micron Technology通过合作也做到了64层)的技术、1个存储单元上存储了4bit数据的QLC（Quadruple-Level Cell）技术，获得了1Tbit的存储容量。

此外，东芝Memory&Western Digital合作，融合字线的堆叠数做到了96层的技术和QLC技术，开发了达到1.33Tbit这一巨大容量的硅芯片。此处的1.33Tbit，在当今存储半导体业界属于全球最高值！

当前也正在开发Word Line（字线）堆叠数为128的3D NAND 闪存。SK Hynix在2019年6月公布，要通过利用128层的制造技术、每个存储单元上有3bit数据的TLC（Triple-Level Cell）技术，开发单个硅芯片的存储容量为1Tbit的3D NAND闪存。这是TLC技术方面最大的存储容量！

存储容量在过去20年扩到了1,000倍

回望过去，以往的“平面型NAND（Planer NAND，2D NAND）”闪存主要通过微缩技术使存储容量扩大到128Gbit，多值存储方式采用的是MLC（2bit/cell）技术和TLC技术。

3D NAND 闪存技术的实用化以128Gbit为开端，256Gbit以上的存储容量被3D NAND“独霸”！多值存储方式采用的是TLC技术，后来QLC技术也被采用。