3D闪存将走向何方？( 三 )
▼大容量化的进展
首发的1Tbit超级芯片（#13.1 东芝存储、Western Digital）
NAND闪存的大容量化进展（国际学会ISSCC上公布的硅芯片）。（图片出自：国际学会SSCC执行委员会于2018年11月向媒体公布的资料。)
NAND闪存的存储密度（按照硅的面积来计算的存储容量）在2001年以后，以每年1.41倍的速度增大，相当于3年扩大了4倍的存储容量！令人震惊的是2019年依旧在延续这一增长速度！
▼闪存集成密度的趋势
NAND闪存存储密度的推移（国际学会ISSCC上公布的硅芯片）。（图片出自：国际学会SSCC执行委员会于2018年11月向媒体公布的资料。)
但是，时至今日，担忧3D NAND闪存未来的呼声出现在了存储半导体的研发团体（Community）里。担忧的内容大致分为2类。
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