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电子级硅制备。电子级硅的制备采用西门子法还原法，在制备过程中用到的气体有 HCl 和 H2等。发生的化学反应包括：

SiO2+C->Si+CO2↑；Si+HCl→SiHCl3+H2↑；SiHCl3+H2→ Si+HCl

电子级硅对纯度有着极高的要求，目前纯度要求在 11N9 以上。未了得到电子级纯度硅，制备过程中气体的纯度要求在 6N9 以上。目前国内 12 英寸 11N9 电子级硅基本从日本进口。

化学气相沉积成膜。化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）是利用高真空下，气体混合发生相关化学反应最终形成膜。典型的 CVD 成膜有二氧化硅绝缘膜制备和氮化硅绝缘膜制备。

在二氧化硅绝缘膜制备中，SiH4是主要气体，采用 6N9 级别的 O2、N2O 作用辅助气体。晶圆加工工艺中生长二氧化硅（SiO2）绝缘膜涉及的化学反应

SiH4+O2->SiO2+2H2↑ ；SiH4+N2O->SiO2+2N2+H2。

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