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7、 CMP 抛光材料

化学机械抛光(CMP,Chemical Mechanical Polishing)是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。CMP 技术是使用效果最好,应用最广泛的平坦化技术,同时也是目前实现全局平坦化的唯一技术。

CMP 工艺是机械抛光和化学抛光相结合的技术。单纯的机械抛光表面一致性好,平整度高,但表面容易出现损失;化学抛光速率快,表面光洁度高,损失低,但表面平整度差。CMP 工艺则两种抛光的完美结合,既可获得较为完美的表面,又可得到较高的抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级。

CMP 工艺通过表面化学作用和机械研磨技术相结合实现晶圆表面的平坦化,其工作原理是通过各类化学试剂的化学作用,结合纳米磨料的机械研磨作用,在一定压力下被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动,从而使得被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。

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▲CMP 工作原理

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