Samsung|旧瓶装新酒：三星970EVO Plus全面换“芯”后性能实测( 二 )_旧瓶装新酒：三星970EVO|Plus全

而新版三星970EVO Plus则是采用了应用于PCIe4.0新旗舰三星980PRO里的那颗“芯”——三星Elpis主控芯片，关于此款芯片，笔者在此前的三星980PRO中进行了深度解读，在此转述旧文。
Elpis源于希腊语，中文读音“厄尔庇斯” ，中文直译则是“（希望）女神” ，该主控采用三星自研的全新8nm制程工艺，全面支持PCIE4.0协议，同时能够满足下一代开发、计算等需求，新的Elpis主控支持128队列并行工作，支持128个I/O队列同步进行数据处理；

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主控芯片存在差异（上为Phoenix 下为Elpis）
相较于上一代的Phoenix主控，队列数（32队列）提升了约400% ，根据三星制程数据，单个队列下，包含了超过64000命令集，这也就意味着三星Elpis主控内部的128个队列，可以同步处理最高超过800万个命令。
闪存颗粒方面，旧版三星970EVO Plus同样是采用当年风靡行业的三星自研第五代V-NAND闪存颗粒， 9x堆叠的TLC颗粒，在当年可谓是一骑绝尘，单颗存储容量达到512GB ，在当时大部分厂商还停留64层堆叠，满足1TB存储容量需要4颗颗粒的时代，三星970EVO Plus仅分布了两颗闪存，即完成1TB存储容量的堆叠。

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新旧三星970EVO Plus闪存对比
新版三星970EVO Plus的闪存颗粒，不仅在堆叠层数上实现了跨越，更是在闪存性能，延时表现等方面进行了突破。其内置了三星自研第六代V-NAND闪存颗粒，该闪存颗粒在制程工艺上，充分利用三星独创的“通道孔蚀刻”技术，通过建立一个由100多个层组成的导电晶片堆栈，然后从上到下垂直穿孔，形成均匀的三维电荷阱闪存（CTF）单元，从而实现了，在9x层单堆栈结构基础上增加了大约40%的存储单元。
此外，为了进一步克服更高堆叠带来的延迟和错乱风险，三星在闪存结构内部采用了速度优化的电路设计，实现了更快的响应，根据测试第六代V-NAND写入操作时间少于450微秒（μs），读取操作时间少于45μs 。
相较于第五代V-NAND ，在性能提高了10%以上，功耗也降低了15%以上。
从主控芯片和闪存颗粒的换新来看，新版三星970EVO Plus实属良心，熟悉三星产品的朋友，看到这里应该已然知晓了，新版三星970EVO Plus的内部用料，就是旗舰机型三星980PRO的同款，新旗舰的核心控件应用于旧旗舰机型，那么性能方面是否也会出现爆炸性增长呢？别急，下面将进行性能测试。