日美光刻机大战，这位中国人帮助ASML打败日本，垄断全球市场( 十 )_光刻指利用光化学反应原理把事先制备在

光刻机的最小分辨率由公示 R=kλ/NA ，其中 R 代表可分辨的最小尺寸，对于光刻技术来说， R 越小越好； k 是工艺常数； λ 是光刻机所用光源的波长； NA 代表物镜数值孔径，与光传播介质的折射率相关，折射率越大， NA 越大。光刻机制程工艺水平的发展均遵循以上公式

光刻机发展这么久，最主要的还是所使用的光源的改进，每次光源的改进都显著提升了升光刻机的工艺制程水平，以及生产的效率和良率。

从最早的436波长， 90 年代前半期，光刻开始使用波长 365nm i-line ，后半期开始使用 248nm 的 KrF 激光。激光的可用波长就那么几个， 00 年代光刻开始使用 193nm 波长的 DUV 激光，这就是著名的 ArF 准分子激光。

193nm波长可以将芯片的工艺节点提升到65nm但是过了很久，半导体行业还是没有思考出超越193nm 的方案，科学家和产业界提出了各种超越 193nm 的方案，其中包括 157nm F2 激光，电子束投射 (EPL) ，离子投射 (IPL)、EUV(13.5nm) 和 X 光，

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