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关键|碳化硅芯片的五大关键工艺步骤( 二 )

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第四步
制作钝化层 。 淀积一层绝缘特性良好的电介质层 ， 防止电极间击穿 。

关键|碳化硅芯片的五大关键工艺步骤
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第五步
制作漏源电极 。 在钝化层上开孔 ， 并溅射金属形成漏源电极 。

关键|碳化硅芯片的五大关键工艺步骤
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当漏源电极和栅源电极之间加正压时 ， 沟道开启 ， 电子从源极流向漏极 ， 产生从漏极流向源极的电流 。 至此 ， 一个基本的功率器件即元胞就制作完成了 。 成千上万的元胞组成芯片 ， 再集成到晶圆衬底 ， 就有了像彩虹一样灿烂的晶圆！

关键|碳化硅芯片的五大关键工艺步骤
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而晶圆的碳化硅衬底 ， 则是由物理气相传输法（PVT）制备 ， 经碳化硅粉料的分解与升华、气体的传输与沉积、切磨抛一系列工序而成 。

关键|碳化硅芯片的五大关键工艺步骤
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最后我们来看一下浙大科创中心先进半导体研究院特别推出的一支科普宣传片 ， 能让我们初步了解宽禁带半导体材料和碳化硅芯片的制造过程 。
文章来源：电气小青年
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