IT|这一届国产电动车企有没有核心技术？( 四 )_这一届国产电动车企|有没有核

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车企们在谈800V高压平台的时候，无一例外都会提到碳化硅。实际上，碳化硅材料，在当下几乎就是为800V高压平台而生的。因为在材料特性上，碳化硅相对于硅材料的主要具备了耐高压、耐高温、高频的优势。
要知道，对于800V及以上高电压平台中，电机逆变器是最关键部件之一。但目前400V平台中搭配的逆变器基本采用硅基IGBT作为核心，随着电压提升，采用碳化硅器件的整体效率提升就越明显。
对于逆变器而言，800V高压平台下使用碳化硅MOSFET会比传统的硅基IGBT整体系统效率提高8% 。与此同时，在相同功率前提下，采用SiC器件的模块尺寸和重量相比传统硅基模块大幅缩小，甚至可以令开关损耗降低75% 。这对于轻量化与节能需求极大的电动汽车可以说是刚需。
如果说，动力电池解决的能源储存的问题。那碳化硅解决的是最根本的能源效率问题：更高效的电能转换效率，意味着更高的续航里程，更高的充电效率。

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不过，针对蔚来的问题就来了，虽然采用ET7上的电机应用了碳化硅功率模块，那为什么它依旧是现在较为成熟的400V平台呢？
“蔚来现有的平台都是在400V的架构，主要与整车和电池都有一系列的匹配，在现阶段蔚来的平台当中都是400V才够。对于800V平台，蔚来电驱动和电池工业化高级副总裁曾澍湘回答道：“后期上不上800V还是请大家看发布会，以后会有越来越多新的产品，我们在储备这方面的技术，这是不用质疑的。”
据曾澍湘介绍，从2015年至今，蔚来在XPT电驱动系统先进制造中心上，累计投入研发达2.5亿元（不含研发薪酬和场地成本），包括车型匹配与开发验证相关的测试外包约1.3亿元、试验台架设备约9600万元、以及近3000万的各类软件工具费用。
作为对比，比亚迪是在2005年组建自身研发团队，投入重金布局IGBT产业。据财报显示，比亚迪半导体，在2018年、2019年、2020年研发投入为1.10亿元、0.97亿元和1.36亿元，占营收比例分别为8.2%、8.87%、9.42% 。目前，比亚迪半导体，是国内唯一实现碳化硅三相全桥模块在新能源汽车电机驱动控制器中大批量装车的企业。
写在最后
新技术，往往都是利弊共存的。
中国科学院电工研究所研究部主任温旭辉指出，“虽然车用碳化硅控制器功率密度大幅提升、损耗明显下降，但快速开关带来的电磁干扰问题同样突出，因此宽频域电磁干扰预测及高密度电磁干扰滤波是今后的行业研究重点之一。”