IBM|IEDM 2021:三星携IBM介绍VTFET半导体芯片研究新突破( 二 )


为验证这一概念,研究人员使用了 VTFET 来制作功能性环形振荡器(测试电路) 。结果发现,与横向参考设计相比,新技术可减少 50% 的电容 。

IBM|IEDM 2021:三星携IBM介绍VTFET半导体芯片研究新突破
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最后,虽然目前尚无任何有关 VTFET 商用商品将于何时到来的消息,但包括英特尔在内的多家科技巨头,均在埃级芯片的研究上投入了大量的心力 。
如果一切顺利,英特尔有望于 2024 年 4 季度,发布基于 Intel 20A 品牌的新一代半导体芯片 。
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