IBM|IEDM 2021:三星携IBM介绍VTFET半导体芯片研究新突破( 二 )
为验证这一概念,研究人员使用了 VTFET 来制作功能性环形振荡器(测试电路) 。结果发现,与横向参考设计相比,新技术可减少 50% 的电容 。
文章图片
最后,虽然目前尚无任何有关 VTFET 商用商品将于何时到来的消息,但包括英特尔在内的多家科技巨头,均在埃级芯片的研究上投入了大量的心力 。
如果一切顺利,英特尔有望于 2024 年 4 季度,发布基于 Intel 20A 品牌的新一代半导体芯片 。
相关文章:
【IBM|IEDM 2021:三星携IBM介绍VTFET半导体芯片研究新突破】IEDM 2021:英特尔分享最新研究突破 携摩尔定律奔向2025
推荐阅读
- Google|谷歌暂缓2021年12月更新推送 调查Pixel 6遇到的掉线断连问题
- 精度|将建模速率提升10倍,消费级3D扫描仪Magic Swift在2021高交会大显“身手”
- 四平|智慧城市“奥斯卡”揭晓!祝贺柯桥客户荣获2021世界智慧城市治理大奖
- 系列|2021中国航天发射圆满收官!年发射55次居世界第一
- 项目|常德市二中2021青少年科技创新大赛再获佳绩
- 选型|数据架构选型必读:2021上半年数据库产品技术解析
- 殊荣|蝉联殊荣!数梦工场荣获DAMA2021数据治理三项大奖
- 公司|外媒:2021,人类太空事业的重大年份
- 语境|B站2021个人年度报告发布:你共计看了多少个视频
- 最新消息|IT系统出错 英国银行给7.5万人多发11亿工资