摩尔定律的新推力，英特尔先进封装技术详解(17)_摘要：2019年9月4日

图27/29

但是，用有机物中介层会有一个巨大的弱势，就是必须要进行激光钻孔，而进行激光钻孔就需要比较大的焊盘。如果说是信号需要在这些比较大的捕获焊盘之间传递，它的密度就会受限，也会影响它的性能。

图28/29

左边就是前面提到的有机中介层中间比较大的焊盘。最右边的图是具体的显微结构，其中右下角是导线，左边是通孔，使用英特尔仿真技术，可以实现孔宽和导线宽度的一致性。

而为了解决这一挑战，英特尔也开发了基于光刻定义的通孔，而导线和通孔的的宽度是一致的，这样就不需要焊盘进行连接，这一切可以在不牺牲传导速度的情况下做到。因为它是光刻定义的，所以我们可以通过光刻的方法对它进行放大。

3、第三个则是前面介绍的可以带来更高性能的全方位互连（ODI）

ODI可以实现垂直以及横向的同时互连，并且允许将不同的逻辑计算单元整合在一个系统级封装里，这是英特尔先进封装技术一个非常显著的优势，同时也是未来先进封装技术发展的一大方向。

摩尔定律的新推力，英特尔先进封装技术详解(17)