摩尔定律的新推力，英特尔先进封装技术详解(15)
Adel Elsherbini表示：“在英特尔，我们除了有专门的独有的设计规则之外，我们也会进行材料方面的开发，通过这两套专有的解决方案，就可以更好的完成整套工艺和流程。”
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从上图右侧图中的数据我们可以看到，通过混合键合的方法，在桥凸间距上可以做到10μm，除此之外在桥凸和互连密度上也可以做到更好。
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与正常的桥凸间距相比，如果把间距缩短到10μm，可以看到总电容差别可以达到5倍以上，同时延迟可以下降功耗也可以大幅度降低。
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