摩尔定律的新推力，英特尔先进封装技术详解(16)
此外，如果通过中介层对裸片进行互连，那么裸片之间的信号传导必须要通过中介层，再到上方的裸片，然后再到小芯片。这会造成整个信号传导的时间会比较长，因为整个的距离比较长，电容电压会上升，也会造成功耗上升。所以上方裸片到下方裸片之间的间距需要进一步缩短。这个可以通过缩短互连引线的长度的长度来实现。
2、实现大面积拼接的全局的横向互连（ZMV）；
全横向互连技术，主要衡量的指标是每毫米的引线数量。我们可以做到在小芯片之间的高密度互连。
未来随着小芯片尺寸越来越小，可能在整个封装层面都可以实现小芯片互连，当然也必须要控制成本。
作为横向互连，其中很重要的需要考虑的就是直线间距。随着直线间距越来越短，我们在同样面积下就可以安装更多硅片，同时信号之间的传导距离也会越来越短。现在业界基本上会使用硅后端布线的方式来实现。如果使用有机中介层的话，则会是更好的方案，因为它比硅的成本更低。
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