摩尔定律的新推力，英特尔先进封装技术详解(14)
图22/29
高密度垂直互连技术的优劣，主要是靠每平方毫米内所能容纳的桥凸数量（也即桥凸的间距大小）来进行界定，数量越大（间距越小），则数据传输的带宽更大，传输速度更快，延迟更底。目前英特尔的高密度垂直互连技术的桥突间距可以做到50μm，即400个桥凸/mm2。
但是随着摩尔定律的继续推进，芯片的尺寸可能会变得越来越小，这样为了保证足够的带宽，必须要进一步缩小桥凸间距，提升单位面积下的桥凸数量。而传统基于焊料的技术已经快要到极限了，因此，这就需要使用全新的技术，其中一个就是混合键合，即非焊料的焊接技术。
图23/29
如上图所示：两个晶圆，先是对顶部晶圆进行抛光，经过单切过程，经过对它的清洁，然后再到底部晶圆。这套工艺可以实现并排互连的桥凸。这里通过一套热退火的工艺流程对它进行基础填充，经过裸片间填充和后处理就可以实现更好的桥凸之间的互连，然后再把整个裸片集成到晶圆。
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