新浪科技综合|Marvell发布基于台积电5nm工艺的112G SerDes连接芯片
本文来自cnBeta
目前市面上有三款基于台积电 5nm 工艺(N5)的芯片 , 分别是华为 Mate 40 Pro 中的 Kirin 9000 5G SoC、苹果 iPhone 12 系列智能机中的 A14 SoC、以及 Apple Silicon Mac 中使用的 M1 SoC。 现在 , 这份列表中又迎来了新的一员 , 它就是 Marvell 的 112G SerDes 连接芯片 。
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【新浪科技综合|Marvell发布基于台积电5nm工艺的112G SerDes连接芯片】图1/2
AnandTech 报道称 , Marvell 刚刚发布了基于 DSP(数字信号处理器)的 112G SerDes 解决方案 。
现代网络基础架构依赖于高速的 SerDes 连接 , 并且能够以各种速率和不同协议下工作(比如以太网、光纤、存储和连接结构) 。
此前的产品已支持高达 56G 的连接 , 但最新 IP 已支持将它翻倍 。 尽管 Marvell 并不是第一家提供 112G 连接方案的厂商 , 但却是首个采用了 5nm 制程的企业 。
与竞品相比 , 其不仅满足各种标准、还具有更低的能耗和错误率 , 对高速、高可靠性的基础架构应用有相当实际的意义 。
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Marvell 宣称 , 其新方案可显著降低每比特位传输的能耗 , 较基于台积电 7nm 工艺(N7)的竞品低了 25% , 并且具有严格的功率 / 热约束、以及大于 40dB 的插入损耗 。
通常数据支持基于一系列 0 或 1 操作位的 NRZ 调制 , 但 Marvell 启用了 2 比特位的操作(00、01、10 或 11) , 又称 PAM4 脉冲幅度调制 。 这样可让带宽轻松翻倍 , 但也确实需要一些额外的电路 。
作为一个面向未来的技术 , 一些人可能已经知道英伟达 RTX 3090 就使用了基于 7nm 工艺的 PAM4 信号调制 , 可让美光 GDDR6X 闪存芯片提供超过 1000 GB/s 的带宽 。 如有必要 , 还可以 NRZ 模式运行、以降低功耗 。
Marvell 表示 , 其已同多个市场的 ASIC 定制客户进行了部署 112G SerDes 方案的接洽 , 此外该公司还将支持一整套基于 5nm 的 PHY、交换机、DPU、定制处理器、控制器、加速器等产品的方案 。
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