摩尔定律的新推力，英特尔先进封装技术详解(12)_摘要：2019年9月4日

ODI也可利用更大的垂直通孔，直接从底部的封装基板向顶部裸片供电，比传统硅通孔更大、电阻可以更低，因而可提供更稳定的电力传输，同时通过堆叠实现更高的带宽和更低的时延。这种方法可减少基底芯片所需的硅通孔数量，为有源晶体管释放更多的面积，并优化了裸片的尺寸。

3、MDIO

MDIO（Multi-Die IO），即多裸片输入输出，是AIB（高级互连总线）的进化版，为EMIB提供一个标准化的SiP PHY级接口，可互连多个小芯片。

图20/29

与AIB技术相比，针脚带宽从2.0Gbps提高到5.4Gbps；Shoreline带宽密度由64GBps/mm提高到了200GBps/mm；Areal带宽密度也由150198GBps/mm2提高到了198GBps/mm2；I/O电压摆幅度从0.9V降低至0.5V。即便是相比台积电新推出的LIPNCON2，MDIO也有着不小的优势，特别是在Shoreline带宽密度上。

面向未来，互连封装技术发展方向