半导体|半导体材料的百年坎坷“转正”路

众所周知
半导体是指一种电阻率介于金属和绝缘体之间 , 并有负的电阻温度系数的物质 。 作为“二十世纪最重要的新四大发明”之一 , 也作为二十一世纪集成电路、芯片等名词的载体 , 这几年里半导体的火热程度从未退却 。
你以为半导体是最近几十年才被发现的吗?说出来你可能不信 , 半导体的“发家史”实际上可以追溯到很久很久以前······

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第一个意外
——不一样的电导率
那是遥远的186年前的大清道光十三年 , 公历1833年的一天 , 英国物理学家、“交流电之父”法拉第(MIChael Faraday , 1791~1867)像往常一样在做实验 , 可是突然间 , 他发现了一个神奇的现象——有种材料的电阻随温度变化的现象很反常 。 这种材料是硫化银 。
一般情况下 , 像常见的金属材料 , 它们的电阻都会随着温度升高而变大 , 但是硫化银这种材料却很反常 , 随着温度的上升 , 它的电阻越来越低 , 导电性越来越强 。 就是说:呈现出负的电阻温度系数 。

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随着科技的发展 , 人们观测到了半导体在室温时电阻率约在10^-5~10^7(欧·米)之间 , 随着温度升高 , 电阻率指数会减小 。 从那之后 , 这个区别于常见材料的性质就成为了识别这种材料的第一个特征 , 不过在那个时候 , 这种材料还是没有“半导体”这个名字 。
第二个意外
——光生伏特效应
六年后的1839年 , 年仅19岁的法国物理学家亚历山大.贝克勒尔(Alexandre Edmond Becquerel, 1820—1891)在协助父亲做实验时意外地发现:将两片金属浸入溶液和电解质接触构成伏打电池 , 当这个体系受到阳光照射后产生了一个额外的电压 。
直到1883年 , 又有学者发现:将硒和金属两种固体接触所形成的结受到光照时 , 也会产生额外的电势 , 后来人们就把这种现象称作光生伏特效应 , 将能够产生此效应的器件称为光伏器件 。
光生伏特效应 , 也叫光生伏打效应 , 是半导体第二个被发现的特征 。 但直到这时候 , 这种材料还是没有“半导体”这个名字 。 (是不是有点替半导体焦急了~)

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第三个意外
——光电效应
在1873年 , 英国科学家威勒毕·史密斯(Willoughby Smith)在进行与水下电缆相关的一项任务时发现 , 光照会促使硒圆柱的电导增加 。 这个现象后来被称为光电导效应 。
又过了14年 , 在1887年 , 德国物理学者海因里希·赫兹(Heinrich Rudolf Hertz , 1857-1894)在实验中真正观察到了光电效应 , 后来爱因斯坦第一个成功的解释了光电效应 。 这种特质成为了半导体的又一个特有的标签 。
大家都知道 , 光可以看作是由携带一份一份的能量的光子组成的 。 当有光照射的时候 , 半导体材料就可能吸收入射光子能量 。 吸收了能量的电子会“躁动”起来了 , 获得动能的增加 , 当动能增大到足以克服原子核的吸引力时 , 它就能在十亿分之一秒的时间内飞逸出金属表面 , 成为可以导电的光电子 。
因为电子和空穴是成对产生的 , 电子增多 , 空穴当然也就增加了 。 而电子和空穴都是载流子 , 这时候载流子的浓度就能大大增加 , 使得半导体的导电性也大大增加 , 电阻也会相应地减小 。 光敏电阻就是基于光电导效应而制成的光电器件 。

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第四个意外
——整流效应
1874年 , 德国航天工程师布劳恩(Ferdinand Braun , 1850~1918)观察到:某些硫化物是否能导电与其所加电场的方向有关 。 如果在它两端加一个正向电压 , 它就是导体;如果把电压极性反过来 , 它就俨然成了绝缘体 。
同年 , 出生在德国的英国物理学家舒斯特(Arthur Schuster , 1851—1934)又发现了铜与氧化铜的整流效应 。 这就是半导体的整流效应 , 也是半导体所特有的第四种特性 。 这个性质也促成了半导体的第一个应用——利用整流效应制作的检波器 。

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虽然 , 在1880年以前 , 半导体的这4个效应就先后被发现了 , 但是“半导体”这个名字的出现大概到了1911年 , 由考尼白格和维斯首次使用了 。 当然 , 总结出半导体的这四个特性的工作一直到1947年12月才由贝尔实验室完成 。
也是在这一年 , 因为锗材料晶体管的诞生 , 让半导体材料真正走上了历史舞台 。 而直到1954年 , 第一个硅晶体管才诞生;直到上世纪 60 年代后期 , 硅材料才逐渐取代了锗并一直“活跃”至今~
但让人惊讶的是:到了这个时候 , 距离半导体的第一个特性被发现 , 已经足足120年有余了~~哦对了 , 硅(Si) , 就是组成石头的元素之一 , 也是地球上第二多的元素 。
直到现代 , 不仅硅、锗等为代表的第一代半导体材料得到了广泛的应用 , 还有了以GaAs为代表的第二代化合物半导体材料、以GaN为代表的第三代半导体材料 , 而且它们也分别在各自的领域发光发热 , 也许你不认识它们 , 但它们的产品的的确确已经成为了人们生活中不可或缺的必需品 。

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半导体材料从发现到发展 , 从应用到创新 , 经历了逾越百年的路程 。 也许您心生疑问 , 为什么半导体被认可需要这么多年呢?笔者猜测这其中的主要原因也许是当时的材料不纯 。 没有好的材料 , 很多与材料相关的问题就难以说清楚了吧 。
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参考文献:
[1]林耀忠,韦清,宋水泉. 汽车电工与电子技术[M].中南大学出版社,2018.
[2]科技日报. 半导体内载荷子特征参数增至7个[EB/OL].http://www.xinhuanet.com//2019-10/15/c_1125104654.htm.
[3]Robert W. Cahn. 走进材料科学(The coming of Materials Science中译本)[M].化学工业出版社 , 2008.
[4] 王宏. 简述半导体材料发展的现状及前景[J].南方农机,2019,50(15):231.
[5] 唐婧婧. 半导体材料的性能分析及其应用[J].科技风,2019(21):169.
[6] 闵俊杰. 半导体材料的性能分析及其应用[J].科技传播,2019,11(04):199-200.
来源:中科院半导体所
编辑:hxg

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