摩尔定律的新推力，英特尔先进封装技术详解( 十 )
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英特尔院士兼技术开发部联合总监Ravindranath (Ravi) V. Mahajan介绍
介绍多芯片封装与Co-EMIB
英特尔院士兼技术开发部联合总监Ravindranath (Ravi) V. Mahajan在会上介绍Co-EMIB技术时也表示：“英特尔推出的Co-EMIB技术可以理解为EMIB和Foveros两项技术的结合，在水平同物理层互连和垂直互连同时，实现Foveros 3D堆叠之间的水平互连。这样以来不管是2D水平互连还是3D堆叠互连，单片与单片之间都可以实现近乎于SoC级高度整合的低功耗、高带宽、高性能表现，为芯片封装带来绝佳的灵活性。”
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