摩尔定律的新推力，英特尔先进封装技术详解( 六 )
我们都知道，传统的SoC芯片，CPU、GPU、内存控制器、通讯单元及I/O核心在SoC当中，通常都只能使同用一种工艺制造，这也使得成本较高，但是实际上，CPU、GPU等核心往往对于制程工艺要求较高，而其他部分对于制程工艺要求并不高。利用EMIB封装，则可以将例如7nm的CPU、GPU，与10nm的内存控制器、通讯单元及I/O核心以封装的形式集成在一起，这样可以在实现类似SoC效果的同时，进一步降低成本。
图6/29
根据英特尔的资料显示，EMIB的IO/mm/层 的数量将可由典型的有机封装的48个提高到1024个。这也意味着在EMIB技术之下，不同制程的芯片在一个封装内能够实现非常高速的互联。
图7/29
目前英特尔的EMIB技术已经实现了112Gbps的互联速度，并且正在努力迈向224Gbps。而这主要是通过电介质材料发明和金属表面粗糙度降低损耗使用路由/平面模板和电介质堆栈设计IP来实现的。
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