摩尔定律的新推力，英特尔先进封装技术详解( 八 )
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有了Foveros 3D封装技术，设计人员可在新的产品形态中“混搭”不同的技术专利模组与各种储存芯片和I/O配置。并使得产品能够分解成更小的“经畔组合”，其中I/O、SRAM和电源传输电路可以整合在基础晶圆中，而高性能逻辑“晶圆组合”则堆叠在顶部。
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从英特尔公布的路线图来看，目前2D EMIB封装技术的裸片间距可以做到55μm，而3D Foveros封装技术的裸片间距可以做到50μm，而在未来，英特尔希望将2D EMIB封装技术的裸片间距缩小到30μm-45μm，3D Foveros封装技术的裸片间距进一步降低到20μm-35μm（有焊料）或小于20μm（无焊料）。
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